3차원 반도체 소자 및 그 제조방법3-D semiconductor device and mehtod of fabricating the same

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dc.contributor.author나노종합기술원ko
dc.contributor.author배희경ko
dc.contributor.author이병주ko
dc.contributor.author설우석ko
dc.date.accessioned2019-11-08T00:20:31Z-
dc.date.available2019-11-08T00:20:31Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/268254-
dc.description.abstract본 발명의 3차원 반도체 소자의 제조방법은 CMOS 소자를 제공하는 단계; 및 상기 CMOS 소자 상에, 실리콘 기판에 서로 이격되어 배치된 한 쌍의 금속-실리콘 접합 영역, 상기 실리콘 기판 상에 상기 금속-실리콘 접합 영역의 적어도 일부를 덮고 상기 한 쌍의 금속-실리콘 접합 영역 사이를 노출시킬 트렌치 패턴, 상기 트렌치 패턴의 트렌치 공간으로 진공 절연되도록 상기 트렌치 패턴 상에 상기 트렌치 공간을 덮도록 배치된 멤브레인 게이트를 포함하는, 멤브레인 게이트 FET 소자를 형성하는 단계;를 포함한다.-
dc.title3차원 반도체 소자 및 그 제조방법-
dc.title.alternative3-D semiconductor device and mehtod of fabricating the same-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.nonIdAuthor배희경-
dc.contributor.nonIdAuthor이병주-
dc.contributor.nonIdAuthor설우석-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2018-0040247-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2042820-0000-
dc.date.application2018-04-06-
dc.date.registration2019-11-04-
dc.publisher.countryKO-
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RIMS Patents
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