3차원 반도체 소자 및 그 제조방법3-D semiconductor device and mehtod of fabricating the same

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본 발명의 3차원 반도체 소자의 제조방법은 CMOS 소자를 제공하는 단계; 및 상기 CMOS 소자 상에, 실리콘 기판에 서로 이격되어 배치된 한 쌍의 금속-실리콘 접합 영역, 상기 실리콘 기판 상에 상기 금속-실리콘 접합 영역의 적어도 일부를 덮고 상기 한 쌍의 금속-실리콘 접합 영역 사이를 노출시킬 트렌치 패턴, 상기 트렌치 패턴의 트렌치 공간으로 진공 절연되도록 상기 트렌치 패턴 상에 상기 트렌치 공간을 덮도록 배치된 멤브레인 게이트를 포함하는, 멤브레인 게이트 FET 소자를 형성하는 단계;를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-04-06
Application Number
10-2018-0040247
Registration Date
2019-11-04
Registration Number
10-2042820-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/268254
Appears in Collection
RIMS Patents
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