디지털 LDO 레귤레이터 및 이를 사용하는 저항 변화 메모리 장치 DIGITAL LOW DROP-OUT REGULATOR AND RESISTIVE CHANGE MEMORY DEVICE USING IT

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본 발명은 푸쉬-풀 방식을 적용하여 소면적을 차지하면서도 피크성 부하 전류 변동에 속응성 있게 대응하여 과도 특성을 개선할 수 있고, 캘리브레이션 회로를 적용하여 저항 변화 메모리 셀 특성 변화에 대응하여 부하 전류의 회복 속도를 조절할 수 있는 디지털 LDO 레귤레이터 및 이를 사용하는 저항 변화 메모리 장치를 제공한다.본원의 제1 발명에 따르면, 출력 전압과 제1 레벨의 기준 전압을 비교하고, 상기 출력 전압이 상기 기준 전압 이상으로 상승하면 기준 부하 스위칭 신호를 출력하는 기준 전압 비교부; 상기 기준 부하 스위칭 신호에 제어되어 푸쉬-풀 방식으로 제어전류를 출력하는 푸쉬-풀 로직부; 상기 출력 전압과 제2 레벨의 과도 기준 전압을 비교하고, 상기 출력 전압이 제2 레벨의 과도 기준 전압 이상으로 상승하면 과도 부하 스위칭 신호를 출력하는 과도 부하 전압 비교부; 상기 과도 부하 스위칭 신호에 제어되어 상기 푸쉬-풀 로직부에 과도 전류를 미러링 하도록 구성되는 과도 부하 전류 미러; 상기 푸쉬-풀 로직부로부터 출력되는 제어전류에 스위칭되어 부하전류를 공급하는 부하전류 공급부; 및 상기 부하전류 공급부의 제어단자에 병렬연결되는 캐패시터를 포함하는 디지털 LDO 레귤레이터를 제공한다.
Assignee
에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2016-11-22
Application Number
10-2016-0155421
Registration Date
2019-10-08
Registration Number
10-2032327-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/267932
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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