본 발명은 SOT 반도체 소자 및 SOT 반도체 소자의 기록 방법에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 SOT 반도체 소자는 전극; 상기 전극상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 셀; 및 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하는 전압게이트;를 포함하고, 상기 전극 상에 인가된 면내 쓰기 전류에 의해 발생하는 스핀 오빗 토크에 의해 상기 자유자성층의 자화방향이 변경되고, 상기 전극은 텅스텐(W)을 포함한다.