학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2018.8,[ii. 33 p. :]
Low-frequency noise (LFN)▼aforward mode (FM)▼areverse mode (RM)▼apower spectral density of resistance fluctuation $(S_{RSD})$▼asource and drain resistance ($R_S$ and $R_D$)▼asingle transistor latch (STL)▼alatch-down voltage ($V_{LD}$)▼avertcial si pillar-type FET; 저주파 잡음 (LFN)▼a순방향 모드 (FM)▼a역방향 모드 (RM)▼a저항 변동의 전력 스펙트럼 밀도 $(S_{RSD})$▼a소스와 드레인 저항 ($R_S$ 및 $R_D$)▼a단일트랜지스터 래치 (STL)▼a래치 다운 전압 ($V_{LD}$)▼a수직 실리콘 필러 형 트랜지스터
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