반도체 장치SEMICONDUCTOR DEVICE

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본 기술에 의한 반도체 장치는 입력된 다위상 신호를 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 1 가변 지연부, 제 1 가변 지연부에서 지연된 다위상 신호 중 두 신호를 선택하여 출력하는 선택부, 두 신호 중 어느 하나를 상기 지연 제어 신호에 따라 지연하는 제 2 가변 지연부, 제 2 가변 지연부에서 출력된 신호의 위상과 두 신호 중 다른 하나의 위상을 비교하는 위상 비교부, 위상 비교부에서 출력된 신호에 따라 지연 제어 신호를 갱신하는 필터; 및 지연 제어 신호를 제 1 가변 지연부 또는 제 2 가변 지연부에 제공하는 지연 제어 신호 선택부를 포함한다.
Assignee
에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2019-04-15
Application Date
2014-11-20
Application Number
10-2014-0162976
Registration Date
2019-04-15
Registration Number
10-1970845-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/261581
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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