DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 민범기 | ko |
dc.contributor.author | 김우영 | ko |
dc.contributor.author | 김현돈 | ko |
dc.contributor.author | 김튼튼 | ko |
dc.contributor.author | 이승훈 | ko |
dc.date.accessioned | 2019-04-15T18:16:23Z | - |
dc.date.available | 2019-04-15T18:16:23Z | - |
dc.date.issued | 2017-12-13 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/257146 | - |
dc.description.abstract | 본 발명에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 결합층, 상기 결합층의 상부 또는 하부에 위치하는 메타원자층, 메타원자층 상부에 위치하는 메모리층 및 메모리층 상에 위치하고 전기 전도성을 가지는 전극층을 포함하며, 메모리층은 소정 전압 이상에서 자발 분극을 형성하는 물질로 구성된다. 이에 의하여, 전기적으로 구동 가능하고, 변조된 광특성을 지속적으로 유지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 소자는 다중 전기적 입력에 의한 광특성 변조가 가능해진다. | - |
dc.title | 메모리 소자 | - |
dc.title.alternative | MEMORY METAMATEREIAL | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 민범기 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김우영 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김현돈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김튼튼 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이승훈 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0033595 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1810406-0000 | - |
dc.date.application | 2016-03-21 | - |
dc.date.registration | 2017-12-13 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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