위치 선택적으로 성장된 금속-반도체 하이브리드 나노 입자 및 그 제조 방법SITE-SELECTIVELY GROWN METAL/SEMICONDUCTOR HYBRID NANOPARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 한상우 | ko |
| dc.contributor.author | 홍종욱 | ko |
| dc.contributor.author | 위대한 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:55:39Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:55:39Z | - |
| dc.date.issued | 2018-02-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256937 | - |
| dc.description.abstract | 위치선택적으로 성장된 성장된 금속-반도체 하이브리드 나노입자는, 다면체 형상의 금속 코어 및 상기 금속 코어의 꼭지점을 중심으로 입체적으로 성장된 반도체 돌기를 포함한다. 상기 나노입자는, 광촉매로서의 성능이 개선될 수 있다. | - |
| dc.title | 위치 선택적으로 성장된 금속-반도체 하이브리드 나노 입자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | SITE-SELECTIVELY GROWN METAL/SEMICONDUCTOR HYBRID NANOPARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 한상우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 홍종욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 위대한 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0120089 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1828388-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-08-26 | - |
| dc.date.registration | 2018-02-06 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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