다공성 절연물질 표면의 열린 기공 실링 방법METHOD OF SEALING OPEN PORES ON SURFACE OF POROUS DIELECTRIC MATERIAL
본 발명은 개시제를 이용한 화학 기상 증착(initiated chemical vapor deposition, iCVD) 방법을 이용하여 다공성 절연물질 표면의 열린기공을 실링하는 새로운 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 실링 방법은 매우 얇은 두께의 고분자 박막을 플라즈마 처리를 하지 않고, 용매 없이 기상 증착 방식을 통해 형성 할 수 있으므로 플라즈마와 화학용액에 취약한 절연물질의 특성 저하를 최소화 할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-08-29
- Application Date
- 2016-06-10
- Application Number
- 10-2016-0072244
- Registration Date
- 2018-08-29
- Registration Number
- 10-1894904-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)CBE-Patent(특허)
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