멀티 레벨 메모리 장치 및 그의 데이터 센싱 방법MULTI LEVEL MEMORY APPARATUS AND ITS DATA SENSING METHOD
본 발명은 메모리 셀에 흐르는 넓은 범위의 전류를 효율적으로 정확하게 검출할 수 있는 저항성 메모리 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 저항성 메모리 장치는, 상이한 크기의 전류를 통과시키는 적어도 두개 이상의 전류 경로; 상기 적어도 두개 이상의 전류 경로와 전기적으로 선택적으로 연결되는 저항성 메모리 셀; 및 상기 저항성 메모리 셀에 흐르는 셀 전류를 복제하는 셀 전류 복제부를 포함한다.
- Assignee
- 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-10-01
- Application Date
- 2012-07-06
- Application Number
- 10-2012-0073759
- Registration Date
- 2018-10-01
- Registration Number
- 10-1905746-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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