본 발명의 실시 형태에 따른 2차원 물질 기반의 능동소자는, 하부 전극; 상기 하부 전극의 상면에 배치된 하부 절연체; 상기 하부 절연체의 상면에 배치된 2차원 물질층; 상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극; 상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 절연체; 및 상기 2차원 물질층의 상면에 배치된 제1 전극부 및 상기 제1 전극부와 전기적 및 물리적으로 연결되고 상기 절연체의 상면에 배치된 제2 전극부를 포함하는 제2 전극;을 포함한다. 이러한 실시 형태에 따른 능동소자는, 하부 전극이 게이트(gate)로서 기능하여 하부 전극으로 인가되는 게이트 전압(Vgate)에 따라 2차원 물질층의 도핑 농도를 조절할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 능동소자는 동작전압을 가변시킬 수 있는 다이오드로서 이용될 수 있다.