저온 공정 a-IGZO 투명 유연 박막 트랜지스터의 특성 및 신뢰성 향상을 위한 줄 발열 열처리 = Electro-thermal annealing for advanced performance and stabilities of low temperature fabricated transparent and flexible a-IGZO thin film transistors

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빠르게 발전하고있는 정보화 시대의 사회적 요구에 맞춰 투명하고 유연한 a-IGZO 박막 트랜지스터를 응용하여 아웃도어 디스플레이, 패션 디스플레이, 스마트 센서 등이 구현되고있다. 이러한 전자기기들은 일상생활과 가까워지면서 점차 실내가 아닌 야외에서도 널리 사용될 것이다. 이에 따라 기존보다 가혹한 주변 환경에도 안정적으로 작동을 하는 우수한 내구성이 더욱 중요해지고 있다. 유연한 기판에 저온공정으로 제작된 a-IGZO TFT 는 기계적인 변형에 특성이 쉽게 열화 될 수 있다. 또한 유리 기판에 고온공정으로 제작 될 때보다 불완전한 초기 특성 및 신뢰성을 가질 수밖에 없다. 따라서 저온 공정으로 a-IGZO TFT 를 제작하고 줄 발열 열처리를 적용하여 특성 향상의 효과를 확인하였다. 이와 더불어 기계적 변형이 가해지는 상황에서도 안정성 증대를 위한 줄 발열 열처리의 실효성을 검증하였다. 본 연구에서는 이렇게 저온 공정 a-IGZO 투명 유연 박막 트랜지스터 제작에서 불가피한 단점들을 보완할 수 있는 줄 발열을 적용한 열처리를 다루었다.
Advisors
최경철researcherChoi, Kyung Cheolresearcher박상희researcherPark, Sang Heeresearcher
Description
한국과학기술원 :전기및전자공학부,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2017
Identifier
325007
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2017.2,[v, 32 p. :]

Keywords

비정질 인듐 갈륨 산화아연; 저온 공정; 박막 트랜지스터; 줄 발열; 열처리; a-IGZO; low temperature fabrication; thin-film transistor; Joule heat; annealing

URI
http://hdl.handle.net/10203/243306
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=675414&flag=dissertation
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EE-Theses_Master(석사논문)
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