충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리FLASH MEMORY USING IMPACT IONIZATION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE
본 발명의 일 실시예에 따른 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자는 기판, 상기 기판에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 기판상에 형성되되 상기 소스의 연직 상부와 상기 드레인의 연직 상부 사이에 상기 드레인 측으로 치우쳐 형성되는, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층 및 상기 게이트 절연막층상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 게이트 절연막층은 상기 기판상에 순서대로 적층된 터널 산화막, 트랩 질화막 및 블록 산화막을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-11-15
- Application Date
- 2009-02-11
- Application Number
- 10-2009-0010884
- Registration Date
- 2010-11-15
- Registration Number
- 10-0995535-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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