단일 기판에 형성된 실리콘-온-인슐레이터 전계효과 트랜지스터와 벌크 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 전계효과 트랜지스터 제작 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 상세하게는 단일 기판에 형성된 SOI(silicon-On-insulator) 전계효과 트랜지스터 및 벌크(bulk) 전계효과 트랜지스터의 제작 방법과 그 제작 방법에 의하여 제작된 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.본 발명에 따른 단일 기판에 형성된 SOI 핀 전계효과 트랜지스터 및 벌크 트랜지스터의 제조 방법은, (a) 실리콘 기판, 하부절연막, 실리콘으로 이루어진 SOI 기판에 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 실리콘 채널이 형성될 실리콘 핀과 소스/드레인이 형성될 실리콘 영역의 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 기판 상에 벌크 트랜지스터를 형성하기 위해 감광막 패턴을 마스크로하여 실리콘 및 하부절연막의 일부 영역을 식각하는 단계; (d) 상기 (b)단계에서 형성된 실리콘 핀 위에 게이트 유전막을 성장시키고, 게이트 물질을 증착한 후, 게이트 영역을 형성하여 SOI 핀 전계효과 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 (e) 상기 (c)단계에서 식각 노출된 실리콘 기판 위에 게이트 유전막을 성장시키고, 게이트 물질을 증착한 후, 게이트 영역을 형성하여 벌크 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 전계효과 트랜지스터, 삼차원 구조, 박막 채널, 단채널 효과, SOI (Silicon-On-Insulator) 기판, Hybrid-Integration, Hetero-Integration, ESD, Double-Gate, Multiple-Gate, CMOS Image Sensor, Analog-Digital 회로