백―바이어스를 이용하여 ＳＯＩ 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 그 소거 방법 및 그 구조

Abstract

본 발명은 플래시 메모리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 백-바이어스(back-bias)를 이용하여 플래시 블록을 소거하는 방법 및 그 구조에 관한 것이다.본 발명에 따른 SOI 기판상에 형성된 플래시 블록에서 백-바이어스를 이용하여 플래시 블록을 소거할 수 있는 구조 및 그 제작 방법은 실리콘 기판, 하부 절연막 및 실리콘을 순차적으로 형성하는 단계, 실리콘에 플래시 블록(flash block)을 형성한 후, 보호 산화막(passivation oxide)을 증착하는 단계 및 플래시 블록과 대향 되는 상기 실리콘 기판의 백-사이드(Backside)에 보디-전극(body-electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.