빔 구조를 이용한 에스오엔 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조 방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자 중 모스 트랜지스터의 성능을 향상시키기 위한 빔(beam) 구조의 SON(Silicon-On-Nothing) 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 SON 모스 트랜지스터는 반도체 기판 상에 패시베이션막을 형성하고 패터닝을 하는 단계; 패터닝된 패시베이션막 위에 붕소(boron)를 주입하여 붕소층을 형성한 다음, 붕소층을 식각 장벽으로 비등방성 식각을 하여 반도체 기판에 빔 구조를 형성하는 단계; 빔 구조로 형성된 기판에 게이트 절연물질을 증착하는 단계; 증착된 게이트 절연물질 상에 전극물질을 증착하여 게이트/소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 제조된다.제조시, 기판의 빔구조에 의해 게이트 절연물질 및 게이트/소오스/드레인의 전극물질은 자기 정렬(Self-Align) 방식으로 증착되므로 비교적 간단한 공정으로 모스 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 게이트와 드레인 사이의 공기층을 통해 소자의 채널 길이가 작아지면서 발생하는 단채널 효과를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.SON(Silicon-On-Nothing)구조, 트랜지스터, 비등방성 식각, 벌크-마이크로머시닝(Bulk-Micromachining), 자기정렬(Self-Align), 단 채널 효과