단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조 방법과 전도성 범프 구조체 제조 방법, 이에 의하여 제조된 전도성 범프 수용 구조체 및 이를 이용한 칩간 접속 방법Method for fabricating receiving structure for conductinve bump with step-hollow configuration, conductinve bump, receiving structure fabricated by the same and method for connecting chips using the same
본 발명은 단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조 방법과 전도성 범프 구조체 제조 방법, 이에 의하여 제조된 전도성 범프 수용 구조체 및 이를 이용한 칩간 접속 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩 중간이나 외곽 등의 위치 제한 없이 전도성 범프를 이탈 없이 사용할 수 있고,접착제 등도 원하는 위치에서만 사용할 수 있는 칩간 접속을 위하여 내부에 단차를 가진 중공 구조가 형성된 전도성 범프 수용 구조체 제조 방법과 전도성 범프 구조체 제조 방법, 이에 의하여 제조된 전도성 범프 수용 구조체 및 이를 이용한 칩간 접속 방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-01-04
- Application Date
- 2011-09-15
- Application Number
- 10-2011-0092753
- Registration Date
- 2013-01-04
- Registration Number
- 10-1221257-0000
- Appears in Collection
- ME-Patent(특허)
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