플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드Method for manufacturing flexible GaN light emitting diode and flexible GaN light emitting diode manufactured by the same
플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드가 제공된다.본 발명에 따른 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법은 실리콘 기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자층을 적층하는 단계; 상기 소자층 상에 금속층을 적층하여 오믹(Ohmic) 컨택을 형성하는 단계; 상기 금속층을 포함하는 상기 질화갈륨 발광다이오드의 소자영역을 실리콘 희생기판으로부터 분리하여, 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 소자층 상에 투명 패시베이션층을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드는 플렉서블의 가요성에 기인하여, 종래의 질화갈륨 발광다이오드의 한계로 지적받았던 기판의 부정합, 고정성 등을 효과적으로 극복할 수 있다.
- Assignee
- 한국전자통신연구원,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2012-12-05
- Application Date
- 2011-02-16
- Application Number
- 10-2011-0013514
- Registration Date
- 2012-12-05
- Registration Number
- 10-1211322-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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