포타시움 니오베이트 단결정의 단일 분역화 방법Fabrication of single domain KNbO3 single crystal
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 윤춘섭 | ko |
| dc.contributor.author | 김중현 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:47:13Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:47:13Z | - |
| dc.date.issued | 2005-04-01 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234697 | - |
| dc.description.abstract | 다분역 구조의 포타시움 니오베이트(KNbO3) 단결정의 단일 분역화 방법을 개시한다. 본 발명은 포타시움 니오베이트 단결정을 마련하는 단계, 포타시움 니오베이트 단결정을 편광판과 검광판 사이에 위치시켜서 편광 분석법으로 고유 극성축을 포함하며 서로 마주보는 한 쌍의 기준면을 찾아내는 기준면 결정 단계, 외부로부터 열을 공급받아, 포타시움 니오베이트의 고유 극성축과 수직한 전압 측정면들의 각각의 전압을 측정하여 상기 고유 극성축의 양극과 음극을 결정하는 단계, 포타시움 니오베이트의 전압 측정면들을 제외한 외형면들 모두에는 각각 유전 물질을 부착하고, 고유 극성축 방향으로 폴링하는 단일 분역화 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 포타시움 니오베이트 단결정의 고유 극성축을 갖는 기준면을 찾아내어 고유 극성축 방향으로 전압을 인가함으로써, 포타시움 니오베이트 단결정에 손상을 주지 않으며, 결정 표면에서 발생하는 불균일한 전기장 발생이 방지되어 폴링 효율도 커지는 것이다. | - |
| dc.title | 포타시움 니오베이트 단결정의 단일 분역화 방법 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication of single domain KNbO3 single crystal | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤춘섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김중현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2002-0053840 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0482512-0000 | - |
| dc.date.application | 2002-09-06 | - |
| dc.date.registration | 2005-04-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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