아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 질화물 박막의 제조방법Process for Preparing Metal Nitride Thin FilmEmploying Amine-adduct Single-source Precursor
본 발명은 아민 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 화학증착에 의해 낮은 온도에서 질화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판으로 부도체인 고가의 사파이어 대신 값싼 반도체 물질인 규소를 사용하여, 낮은 온도에서 화학증착을 수행하므로, 질화물 박막을 경제적으로 제조할 수 있고, 부도체 기판을 사용하여 발생하는 후속 전극의 제조공정상의 문제점을 해결할 수 있으므로, 신소재의 개발이나 다층 박막의 제조에 널리 활용될 수 있을 것이다.아민 부가 단량체, 질화물 박막
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2003-02-18
- Application Date
- 2001-02-07
- Application Number
- 10-2001-7001673
- Registration Date
- 2003-02-18
- Registration Number
- 10-0374327-0000
- Appears in Collection
- CH-Patent(특허)
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