강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체의 제조방법

Abstract

본 발명은 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 강유전 고분자 박막을 기판 일면에 형성된 전극층의 상면에 형성하여 정보 저장 및 보존이 가능한, 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명인 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체는 기판과, 상기 기판 일면에 형성된 전극층과, 상기 전극층 상면에 형성된 VDF와 TrFE가 70:30 내지 80:20 비율인 VDF-TrFE 강유전 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명은 기판 일면에 전극층을 형성하는 단계와, VDF와 TrFE를 70:30 내지 80:20 비율로 혼합한 VDF-TrFE 펠렛을 준비하는 단계와, 상기 VDF-TrFE 펠렛을 메틸에틸케톤(Methylethylketone) 용매에 용해시키는 단계와, 상기 용해된 용액을 상기 전극층 상면에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 기판을 어닐링(Annealing) 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.