채널 영역의 공핍 영역을 조절하는 공명 터널링 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 시스템RESONANT TUNNELING TRANSISTOR FOR CONTROLLING DEPLETION REGION OF CHANNEL REGION, PRODUCTING METHOD THEREOF, AND SYSTEM INCLUDING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양경훈 | ko |
| dc.contributor.author | 이기원 | ko |
| dc.contributor.author | 이종원 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:03:04Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:03:04Z | - |
| dc.date.issued | 2015-08-18 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233334 | - |
| dc.description.abstract | 채널 영역의 공핍 영역을 조절하는 공명 터널링 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 시스템이 개시된다. 일 실시예에 따른 공명 터널링 트랜지스터는 상기 공명 터널링 트랜지스터의 전자를 생성하고, 상기 생성된 전자를 전송하는 채널 영역과, 상기 채널 영역의 공핍 영역을 조절하기 위한 가변 전극과, 상기 채널 영역과 상기 가변 전극 사이에 위치하는 절연층을 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 채널 영역의 공핍 영역을 조절하는 공명 터널링 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 시스템 | - |
| dc.title.alternative | RESONANT TUNNELING TRANSISTOR FOR CONTROLLING DEPLETION REGION OF CHANNEL REGION, PRODUCTING METHOD THEREOF, AND SYSTEM INCLUDING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양경훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이기원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이종원 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0125408 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1547022-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-10-21 | - |
| dc.date.registration | 2015-08-18 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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