탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법Phase change memory using carbon nano tube and methodfor fabricating thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김국환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:31:04Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:31:04Z | - |
| dc.date.issued | 2007-01-18 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/232608 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 상변화 메모리에서 상변화 물질과 하부 전극간 접촉 면적을 획기적으로 줄여 저 전력으로 동작이 가능하게 할 뿐만 아니라 집적도를 더욱 향상시키기 위한 것으로, 상변화를 유도하는데 필요한 외부 전류를 공급하는 전류원 전극과, 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층과, 전류원 전극과 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열된 탄소 나노 튜브 전극, 및 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체를 포함하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법을 제공한다. 상변화 메모리, 탄소 나노 튜브, 하부 전극, 동작 전류 | - |
| dc.title | 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Phase change memory using carbon nano tube and methodfor fabricating thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김국환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0001336 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0674144-0000 | - |
| dc.date.application | 2006-01-05 | - |
| dc.date.registration | 2007-01-18 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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