본 발명은 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 특히 자외선 차단 코팅 층이 형성된 글라스가 폴리머 격벽에 의해 이미지 센서 칩에 부착되어 있고 이미지 센서 칩의 각 입/출력 전극에 형성된 관통홀을 통해 연결된 칩의 뒷면 전극에 솔더 범프가 형성되어 있는 구조를 특징으로 하는 초소형 이미지 센서 모듈 및 이를 구현하기 위한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 공정에 관한 것이다. 본 발명은 이미지 센서 웨이퍼와 글라스 웨이퍼를 본딩한 후 상기 이미지 센서 웨이퍼에 관통홀을 형성하는 단계; 상기 이미지 센서 웨이퍼에 형성된 관통홀을 전기적 통전물질로 채우는 단계; 및 상기 통전물질 말단에 솔더 범프를 형성하고 회로 형성된 PCB기판과 연결하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 기존의 웨이퍼 가공 및 금속 증착 공정 장비를 그대로 이용하므로 저가형 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 구현할 수 있으며, 기존의 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지보다 두께 방향으로 최소 두께를 가지고, 면적 면에서 이미지 센서 칩과 동일한 면적을 가지는 이미지 센서 모듈을 구현할 수 있다. 이미지 센서, CMOS, 관통홀