산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조method for manufacturing thin film transistors based on titanium oxides as active layer and structure thereof
산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조를 개시한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판상에 다결정 또는 비정질 산화티타늄을 이용하여 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 절연막을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법은 기판을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계, 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 이를 통해, 본 발명은 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, MESFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, MOxTFT
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-09-15
- Application Date
- 2009-11-16
- Application Number
- 10-2009-0110180
- Registration Date
- 2010-09-15
- Registration Number
- 10-0983544-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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