Se이 부족한 (In,Ga)Se/Cu 적층 구조의 전구체를 이용한 CIGS 박막 제조방법Fabrication of CIGS thin film from Se-deficient stacked (In,Ga)Se/Cu precursors

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본 발명은 CIGS 박막 제조방법 및 이렇게 제조된 태양전지의 광흡수층인 CIGS 박막을 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 Se이 포함된 (In,Ga)Se/Cu 적층 전구체 구조를 이용하여 외부 Se 공급 없이 CIGS 박막을 성장시킴으로써, 셀렌화 공정에서 유발되는 기판과의 흡착 문제를 해결하고 공극 없이 CIGS 광흡수층을 형성할 수 있고, 이 공정을 적용함으로써 재현성이 우수한 대면적 박막 태양전지를 제조할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2016-06-17
Application Date
2014-07-30
Application Number
10-2014-0097271
Registration Date
2016-06-17
Registration Number
10-1633024-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/230693
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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