선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지에서의 고품질인덕터 제조방법Fabrication method of high quality inductor in packageusing a selectively anodized metal
본 발명은 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지에서의 고품질 인덕터 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 금속기판에 기생정전용량을 줄이고 인덕터 라인의 저항성분을 줄이는 인덕터를 제작하는 방법에 있어서, 상기 금속기판에 인덕터가 제작될 부분에 마스크물질을 부착하고 상기 금속기판 이면을 소정 깊이로 식각하는 과정, 금속기판에 금속산화층을 형성하여 인덕터를 제작할 부분을 다른 금속들과 전기적으로 격리시키는 과정, 금속기판에 부착된 마스크물질을 제거한 후 양극산화 되지 않은 금속층을 선택적으로 식각하여 인덕터의 하부라인을 형성하는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
- Assignee
- (주)웨이브닉스이에스피
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2006-09-11
- Application Date
- 2006-07-19
- Application Number
- 10-2006-0067470
- Registration Date
- 2006-09-11
- Registration Number
- 10-0625196-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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