전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법BIO SENSOR USING PARASITIC FRINGING GATE FIELD EFFECTS OF FIELD EFFECTIVE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEROF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김동현 | ko |
| dc.contributor.author | 이광원 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:59:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T00:59:57Z | - |
| dc.date.issued | 2010-11-23 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229048 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 게이트의 전계 효과 특징을 지니고 있는 전계효과 트랜지스터의 작동원리를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 기생(fringing) 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서는 기판; 상기 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층상에 형성되고, 상기 절연층의 일부를 덮는 게이트; 상기 절연층 상부 표면 중 상기 게이트에 의해 덮이지 않은 부분에 링커에 의하여 결합된 바이오 분자를 포함한다. | - |
| dc.title | 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | BIO SENSOR USING PARASITIC FRINGING GATE FIELD EFFECTS OF FIELD EFFECTIVE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEROF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김동현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이광원 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0103983 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0997210-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-10-23 | - |
| dc.date.registration | 2010-11-23 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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