누설 인덕턴스가 증가된 트랜스포머TRANSFORMER IMPROVED LEAKAGE INDUCTANCE
본 발명은 기생 인덕턴스가 증가된 트랜스포머에 관한 것으로 전자기적으로 결합된 제1, 제2 및 제3 레그(Leg)를 갖는 코어와, 외부로부터의 전력을 전달받는 일단 및 타단을 갖는 하나의 도전체로 형성되어 상기 제1 내지 제3 레그에 분할 권선되는 일차 권선과, 상기 제1 내지 제3 레그 중 적어도 하나의 레그에 권선되어 상기 일차 권선과의 전자기 유도 작용을 통해 전력을 유기받는 이차 권선을 포함한다. 트랜스포머(Transformer), 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance), 비대칭 결합(Unbalance Coupling)
- Assignee
- 삼성전기주식회사
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-12-22
- Application Date
- 2007-12-27
- Application Number
- 10-2007-0139338
- Registration Date
- 2010-12-22
- Registration Number
- 10-1004823-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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