무어의 법칙에 따라 지속적으로 집적도가 높아졌지만, 기존 메모리 셀의 특성상 공정의 한계로 더 이상 기존 기술만으로는 집적도를 높이기가 힘들어지고 있는 추세다. 따라서 STT-RAM (Spin-Transfer Torque RAM), PCM (Phase Change Memory), ReRAM (Resistive RAM) 등의 차세대 메모리로 기존 메모리를 대체하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 특히, STT-RAM은 누설 전력이 0에 가까울 정도로 매우 작고, 집적도가 높아, 기존 SRAM 기반 캐시의 대체 후보로 떠오르고 있다. 하지만, 쓰기 속도가 느리고, 쓰기 에너지가 큰 단점이 있다. 이러한 STT-RAM의 단점을 극복하기 위해서는 공정에 관한 연구와 함께 아키텍처적으로 기존 메모리와의 차이점을 고려하여 설계할 필요가 있다. 본 학위논문에서는 L2 캐시를 STT-RAM으로 구성하였을 때, 증가하는 쓰기 에너지를 줄일 수 있는 방안으로 다음과 같은 기여를 하였다. 먼저, 여러 캐시 계층 구조에 대한 비교를 통해, Non-Exclusive 계층 구조가 가장 에너지 효율적임을 보인다. 여기에 사용되지 않는 캐시라인의 일부를 L2 캐시에 저장하지 않는 기법을 제안하여 추가적으로 에너지를 감소시킨다.