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Analysis of magnetic tunnel junction-based spin-torque oscillator using NEGF-LLGS calculation = NEGF-LLGS 계산을 통한 자기터널접합 기반 스핀 발진소자의 분석link Noh, Seongcheol; 노성철; et al, 한국과학기술원, 2016 |
Modeling and simulation study on the nano-scaled schottky-barrier junction and MOSFETs = 나노 수준의 크기를 갖는 쇼트키 배리어 접합 구조와 모스펫에 대한 모델링 및 시뮬레이션 연구link Lee, Jaehyun; 이재현; et al, 한국과학기술원, 2016 |
Quantum mechanical simulation of hole transport in p-type Si nanowire schottky barrier MOSFETs = P형 실리콘 나노와이어 쇼트키 배리어 트랜지스터에서의 양자 수송 시뮬레이션link Choi, Won-Chul; 최원철; et al, 한국과학기술원, 2011 |
Quantum mechanical simulation of hole transport in p-type Si nanowire schottky barrier MOSFETs = P형 실리콘 나노와이어 쇼트키 배리어 트랜지스터에서의 양자 수송 시뮬레이션link Choi, Won-Chul; 최원철; et al, 한국과학기술원, 2011 |
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