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AlGaAs/GaAs surface-light-emitting devices by selective liquid phase epitaxy = 선택적 액상 에피택시에 의한 AlGaAs/GaAs 표면 방출형 광소자link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1989 |
Fabrication of 1.3 μm GaInAsP /InP DH stripe-geometry laser diodes = 1.3 um 파장 GaInAsP/InP stripe 구조 laser diode 의 제작link Yoo, Tae-Kyung; 유태경; et al, 한국과학기술원, 1985 |
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