Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" byAuthor장병탁

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A Novel Procedure for Circuit Modeling of Dielectric Relaxation of (Ba,Sr)TiO3 Thin Film Capacitor and Its Effect on DRAM Operation

이희철researcher; 장병탁; 차선용, 제6회 한국반도체 학술대회, pp.239 - 240, 1999

2
Analysis of Dielectric Properties of the Interfacial Layers in Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt Structures

이희철researcher; 이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 유병곤; 백종태, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08

3
(Ba,Sr)TiO3 박막의 전기적 특성 평가

장병탁; 곽동화; 이희철researcher, 요업기술, v.11, no.3, pp.162 - 170, 1996-08

4
Ba0.7, Sr0.3, Tio3 박막 커패시터의 마이크로파 측정.

장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철researcher; 유병곤; 백종태; et al, 전자공학회논문지 A, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996

5
Ba0.7Sr0.3TiO3 박막 커패시커의 마이크로파 측정

장병탁; 차선용; 이승훈; 곽동화; 이희철researcher; 유병곤; 백종태; et al, JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICY, v.33, no.2, pp.114 - 121, 1996-01

6
Ba0.7Sr0.3TiO3/Pt 구조의 계면층 유전특성 분석

이승훈; 곽동화; 장병탁; 차선용; 이희철researcher; 유병곤; 백종태, 전자공학회논문지 A, v.33, no.8, pp.132 - 137, 1996-08

7
Calulation of Trap Densities between BST/Pt Interface from Capacitance-Voltage Characteristics and Rapid Thermal Annealing Fttect for DRAM Application

이희철researcher; 곽동화; 장병탁; 차선용, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01

8
DRAM 응용을 위한 상유전 (Ba,Sr)$TiO_3$ 박막 커패시터의 회로 모사 모델에 관한 연구 = A studu on the circuit simulation model of paraelectric (Ba,Sr)$TiO_3$ thin film capacitors for DRAM applicationlink

장병탁; Jang, Byung-Tak; et al, 한국과학기술원, 1999

9
Ir Thin Film as a Bottom Electrode for High Dielectic (Ba,Sr)TiO3 Capacitor

이희철researcher; 차선용; 장병탁; 곽동화, 제 4회 한국반도체 학술대회, pp.0 - 0, 1997-02-01

10
다중위상-그레이코드 카운터를 이용한 적외선 센서용 저전력 ADC 설계

김영선; 장병탁; 임현자; 이희철researcher, 전자공학회논문지, v.55, no.10, pp.40 - 46, 2018-10

11
분자선 박막 성장법을 이용한 AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor의 제작 및 평가 = Fabrication and characterization of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors grown by MBElink

장병탁; Jang, Byung-Tak; et al, 한국과학기술원, 1994

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