Browse "School of Electrical Engineering(전기및전자공학부)" byAuthor박종경

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3차원 플래쉬 메모리를 위한 매우 얇은 다결정 실리콘 채널 층을 갖는 정션리스 플래쉬 메모리의 특성에 관한 연구

박종경; 김승윤; 이기홍; 피승호; 이석희; 조병진researcher, 제 21회 한국반도체학술대회, 한양대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2014-02-25

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3차원 플래시 메모리를 위한 채널 두께와 고체화 결정법에 의한 결정 크기 효과에 관한 연구

김승윤; 박종경; 이승준; 이기홍; 피승호; 조병진researcher, 22nd Korean Conference on Semiconductors, Incheon, Korea, 인하대학교, 2015-02-12

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High- κ 유전체를 사용한 Charge-trapping type플래쉬 메모리 소자에서 데이터 Retention 특성과 Erase 속도 개선 = Improvement of data retention and erase speed in charge-trapping type flash memory devices using high-κ dielectriclink

박종경; Park, Jong-Kyung; et al, 한국과학기술원, 2010

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In-depth study of reliability for charge-trap-type flash memory devices = 전하포획형 플래시 메모리 소자의 신뢰성에 관한 심층 연구link

Park, Jong-Kyung; 박종경; et al, 한국과학기술원, 2014

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Work Function Changes of Graphene under Metal

송승민; 봉재훈; 박종경; 조병진researcher, The 1st Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2014-04-03

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그래핀 게이트 전극을 이용한 비휘발성 메모리 소자

조병진researcher; 박종경, 2013-03-12

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그래핀의 Work-Function 변이에 관한 연구

송승민; 박종경; 설원제; 조병진researcher, 제20회 한국반도체학술대회, 동부하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2013-02-05

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금속/그래핀/산화막/반도체 구조에서 그래핀이 커패시턴스에 미치는 영향

송승민; 박종경; 조병진researcher, 2011 Korean Carbon Society Spring Meeting, 한국탄소학회, 2011-05

9
플래쉬 메모리 소자에서의 초기 VT 불안정 현상 개선에 관한 연구

박종경; 이석희researcher; 이기홍; 피승호; 조병진researcher, 제20회 한국반도체학술대회, 동부하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2013-02-06

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