1 | 3차원 플래쉬 메모리의 이동도 향상을 위한 산화물 반도체 채널 도입 이윤희; 신의중; 이태인; 오승현; 조성행; 주찬종; 이재덕; et al, 제 30회 한국반도체학술대회, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2023-02-14 |
2 | Channel Mobility Boosting through Ge profile and grain size engineering in a Ge-diffused Poly-Si channel for 3D V-NAND Flash Memory 이태인; 이윤희; 신의중; 김민주; 이정훈; 이재덕; 조병진, 제29회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2022-01-26 |
3 | Design of a Multiway Thermo-acoustic Loudspeaker with Carbon Nanotubes Sheet 신의중; 김충선; 박수연; 최정우; 조병진, The 4th Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2017-04-06 |
4 | Development of dual-mechanism memory device using charge trapping and ferroelectric switching for high-performance 3-D NAND flash = 고성능 3차원 낸드 플래시를 위한 전하 포획 및 강유전체 분극 스위칭 이중 메커니즘 메모리 개발link Shin, Eui Joong; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2023 |
5 | Enhancement of Operation Efficiency in Charge Trap Memory Using Antiferroelectric HfZrO2 신성원; 신의중; 이승환; 이태인; 김민주; 안현준; 황완식; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
6 | Flash memory 소자에서 Anti-Ferroelectric 물질을 이용한 capacitance 부스팅 신성원; 신의중; 조병진, 대한전자공학회 2021년도 하계종합학술대회, 대한전자공학회, 2021-06-30 |
7 | Graphene Thermo-acoustic Resonator for Boosting Sound Pressure Level in Low Frequency Region 신의중; 김충선; 김동환; 최정우; 조병진, The 3rd Korean Graphene Symposium, 한국그래핀연구회, 2016-04-14 |
8 | Material and system modification for sound pressure enhancement of the carbon nanotubes thermoacoustic devices = 탄소 나노튜브 열음향 스피커의 음압 향상을 위한 물질적, 시스템적 개선link Shin, Eui Joong; Cho, Byung Jin; et al, 한국과학기술원, 2018 |
9 | MoS2 charge trap memory cell 특성 평가 신의중; 임이랑; 임종선; 황완식; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14 |
10 | NAND Flash Memory 의 메모리 윈도우 확장을 위한 강유전체 스위칭 및 전하 트랩 시너지 메모리 신의중; 이규섭; 조병진, 제 30회 한국반도체학술대회, SK하이닉스, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2023-02-14 |
11 | Reliability Improvement of Charge Trap Flash Memory Cell with Sealing Oxide in Fluorine Incorporation 이승환; 이태윤; 안현준; 이태인; 신의중; 신성원; 조병진, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-14 |
12 | Superior Carrier Mobility of Ge MOSFETs Depending on Channel Orientation with EOT of 0.57 nm Using Y-ZrO2/GeOx/Ge Stack 이태인; Nguyen, Manh-Cuong; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; et al, 제27회 한국반도체학술대회, 연세대학교, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2020-02-13 |
13 | Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조 이태인; 김민주; 안현준; 신의중; 이승환; 신성원; 황완식; et al, 제26회 한국반도체학술대회, DB하이텍, 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, 2019-02-15 |
14 | 다중 게이트 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴런 소자 조병진; 이규섭; 김형진; 신의중 |
15 | 멀티웨이 열 음향 스피커 구현을 위한 공진기 설계 박수연; 최정우; 신의중; 김충선; 조병진, 2017년도 한국소음진동공학회, 음향학회, 대한기계학회 동영학및제어부문 공동 학술대회, 한국소음진동공학회, 2017-04-28 |