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Process engineering of the surface passivation using $(NH_4)_2S$ for the InP MOS capacitor with ALD $Al_2O_3$ = $Al_2O_3$를 사용한 InP MOS capacitor에서의 $(NH_4)_2S$를 이용한 기판 표면 패시베이션의 실험적 최적화에 대한 연구link Hong, Hee-Jeong; 홍희정; et al, 한국과학기술원, 2014 |
슬롯 안테나와 이를 이용한 정보 단말 장치 구형준; 유종원; 이수지; 오경섭; 홍희정, 2019-01-25 |
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