RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 Sb-doped GeTe 박막의 미세구조 분석

Abstract

이 연구의 목표는 Sb가 도핑된 GeTe 박막의 결정화 거동과 미세구조 분석이다. Sb-doped GeTe 박막은 Si 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 GeTe와 Sb 타겟을 이용한 co-sputtering 방법으로 증착하였다. 결정화 특성과 미세구조 분석은 AES, DSC, XRD 그리고 TEM을 활용하였다. Sb(10W, 20W)-doped GeTe 박막의 결정화 온도는 각각 257, 267℃이고, 녹는점은 670, 550℃로 측정되었다. Sb 도핑 케이스에서 둘 모두 결정화 온도는 도핑하지 않았을 때보다 상승하였으며 녹는점은 하락하였다. Sb(10W)-doped GeTe 박막의 경우 400℃에서 GeTe hexagonal 구조와 FCC 구조가 같이 나타났다. 둘 간의 orientation relationship은 [2-201]GeTe_hex // [01-1]GeTe_FCC, (-1012)GeTe_hex // (200)GeTe_FCC으로 계산되었다. Sb(20W)-doped GeTe 박막의 경우에는 300℃에서부터 GeTe FCC 구조가 나타났으며 400℃에서는 GST hexagonal 구조가 나타났다.