기상유도결정화법과 급속열처리를 이용한 다결정 Si 박막에서의 Ni 금속 오염량 감소 및 다결정 Si 박막 트랜지스터 특성에 관한 연구Control of Ni contamination in polycrystalline Si films by vapor-induced crystallization and rapid thermal annealing process and characterization of polycrystalline Si thin film transistors
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 안병태 | - |
| dc.contributor.advisor | Ahn, Byung-Tae | - |
| dc.contributor.author | 김존수 | - |
| dc.contributor.author | Kim, John-Soo | - |
| dc.date.accessioned | 2013-09-12T04:45:43Z | - |
| dc.date.available | 2013-09-12T04:45:43Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.uri | http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=515083&flag=dissertation | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/181996 | - |
| dc.description | 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2013.2, [ vii, 80 p. ] | - |
| dc.language | kor | - |
| dc.publisher | 한국과학기술원 | - |
| dc.subject | 기상유도결정화 | - |
| dc.subject | 급속열처리 | - |
| dc.subject | vapor induced crystallization | - |
| dc.subject | rapid thermal annealing | - |
| dc.subject | thin film transistor | - |
| dc.subject | 박막 트랜지스터 | - |
| dc.title | 기상유도결정화법과 급속열처리를 이용한 다결정 Si 박막에서의 Ni 금속 오염량 감소 및 다결정 Si 박막 트랜지스터 특성에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | Control of Ni contamination in polycrystalline Si films by vapor-induced crystallization and rapid thermal annealing process and characterization of polycrystalline Si thin film transistors | - |
| dc.type | Thesis(Master) | - |
| dc.identifier.CNRN | 515083/325007 | - |
| dc.description.department | 한국과학기술원 : 신소재공학과, | - |
| dc.identifier.uid | 020113152 | - |
| dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
| dc.contributor.localauthor | Ahn, Byung-Tae | - |
- Appears in Collection
- MS-Theses_Master(석사논문)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.