Browse "Dept. of Materials Science and Engineering(신소재공학과)" by Author 최치규

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1
AES, RBS 및 XRD 분석을 이용한 Si(111)면에서의 다결정-CrSi2의 성장

김건호; 김도희; 이정주; 강치형; 전욱배; 이정용; 최치규, 새물리, v.34, no.6, pp.726 - 731, 1994-12

2
AES를 이용한 정량분석에서 Matrix 효과에 대한 보정 - 몇가지 Silicide와 RuO2 박막의 경우-

김건호; 이정주; 김현수; 강치형; 유철승; 최치규; 이정용; et al, 새물리, v.35, no.2, pp.230 - 237, 1995-12

3
Growth of Ti on Si(111)-7 7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi2 on Si(111) Substrate

김건호; 김인호; 이정주; 서동주; 최치규; 홍성락; 양수정; et al, 한국진공학회지, v.1, no.1, pp.67 - 72, 1992

4
NiSi2 / Si ( 111 ) 계면에 대한 고분해능 투과전자현미경 연구

이은하; 이정용; 최치규, 대한금속·재료학회지, v.32, no.11, pp.1331 - 1337, 1994-12

5
PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규; 강민성; 박형호; 염병렬; 서경수; 이종덕; 김건호; et al, 한국진공학회지, v.6, no.3, pp.255 - 262, 1997-12

6
고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성

최치규; 강민성; 오경숙; 이유성; 오대현; 황찬용; 손종원; et al, 한국재료학회지, v.9, no.11, pp.1129 - 1136, 1999-12

7
고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성

최치규; 강민성; 이개명; 김상기; 서경수; 이정용; 김건호, 한국진공학회지, v.4, no.3, pp.319 - 326, 1995-12

8
고상 에피택시에 의한 초박막 CoSi2 형성과 Si/epi-CoSi2/Si(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규; 강민성; 문종; 현동걸; 김건호; 이정용, 한국재료학회지, v.8, no.2, pp.165 - 172, 1998-12

9
니켈 실리사이드의 상에 따른 전자구조가 Auger 스펙트럼에 미치는 효과

김성철; 박재돈; 황해선; 김건호; 이정주; 김인호; 서동주; et al, 새물리, v.32, no.1, pp.115 - 120, 1992-12

10
동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장

최치규; 류재연; 오상식; 염병렬; 박형호; 조경의; 이정용; et al, 한국진공학회지, v.3, no.4, pp.405 - 413, 1994-12

11
반도체형 epi-β-FeSi2/Si(111) 구조의 형성과 전자구조

김건호; 임태균; 박정환; 이정주; 김현수; 강정수; 최치규; et al, 새물리, v.37, no.3, pp.258 - 268, 1997-12

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