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Development of flash memory using high-k dielectrics by the improvement of charge trap layer and blocking oxide layer and its theory = 고유전막을 이용한 전하포획막과 차단산화막의 향상을 이용한 플래쉬 메모리 개발 및 그 이론link Park, Young-Min; 박영민; et al, 한국과학기술원, 2011 |
In-depth study of reliability for charge-trap-type flash memory devices = 전하포획형 플래시 메모리 소자의 신뢰성에 관한 심층 연구link Park, Jong-Kyung; 박종경; et al, 한국과학기술원, 2014 |
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