LED구조에서 Mg의 도핑 농도를 달리한 GaN 박막의 미세구조 연구 = A study on microstructure of GaN films in a LED structure with various Mg doping levels

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3족 질화물은 직접천이형 와이드 밴드갭 물질로 광전자 소자로의 활용가능성이 기대되고 있다. 그러나 GaN는 GaN 성장을 위한 적절한 기판의 부재로 인해 사파이어 기판 위에서 성장시키게 되는데 이 때 GaN와 사파이어 기판 사이의 열팽창 계수의 차이와 격자상수의 차이로 인해 수많은 결함이 존재하게 된다. 또한 고효율의 발광소자 제작을 위해서는 낮은 저항값과 높은 홀 농도를 가지는 p-type GaN가 필수적이고 이는 보통 Mg을 도핑함으로서 얻어진다. 본 연구에서는 LED구조를 가지는 GaN 박막의 Mg 도핑 농도를 달리하여 Mg의 도핑농도에 따른 GaN의 미세구조를 살펴보았다. 그 결과 Mg의 도핑 농도가 높아짐에 따라 나선 전위의 밀도는 증가하다 다시 감소하였지만 그 변화폭은 크지 않았다. 그러나 칼날 전위의 전위 밀도는 Mg의 도핑 농도가 증가함에 따라 지속적으로 감소하는 것으로 나타났다. 또한 Mg의 도핑 양이 어떤 임계값을 넘어서면 inversion domain boundary가 생성되었으며 그 결과 GaN의 극성이 Ga 극성에서 N 극성으로 바뀜을 알 수 있었다. 이러한 N 극성의 GaN 형성으로 인해 GaN의 표면에 육각형 형태의 hillock이 생성됨을 알 수 있었다.
Advisors
이정용researcherLee, Jeong-Yongresearcher
Description
한국과학기술원 : 신소재공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2005
Identifier
243754/325007  / 020033494
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2005.2, [ iv, 105 p. ]

Keywords

극성반전; 발광소자; 마그네슘 도핑; 가용화; Inversion domain boundary; Mg doping; p-type GaN; LED; 플럭스

URI
http://hdl.handle.net/10203/51663
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=243754&flag=dissertation
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MS-Theses_Master(석사논문)
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