PZT/MgO/Si 박막의 제조와 특성평가A study on the fabrication and characterization of PZT/MgO/Si film

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dc.contributor.advisor노광수-
dc.contributor.advisorNo, Kwang-Soo-
dc.contributor.author송한욱-
dc.contributor.authorSong, Han-Wook-
dc.date.accessioned2011-12-15T01:31:00Z-
dc.date.available2011-12-15T01:31:00Z-
dc.date.issued1998-
dc.identifier.urihttp://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=133531&flag=dissertation-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/50661-
dc.description학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 재료공학과, 1998.2, [ vii, 74 p. ; ]-
dc.description.abstract강유전체는 강유전성과 압전성, 초전성, 전광특성등의 여러 유용한 특성을 가지고 있다. 이러한 우수한 특성 때문에 강유전체는 여러 가지 전자 및 광학소자에 사용되어진다. 최근에는 이러한 연구가 다기능소자의 제조와 특성분석에 관해 이루어지고 있는 실정이다. 그러나 SIi 기판과 강유전체간의 반응과 둘간의 큰 격자불일치 때문에 강유전체를 Si 기판위에 직접적으로 증착하는 것은 어렵다고 알려져 있다. 따라서 완충층을 사용하는 연구가 많이 이루어지고 있다. e-beam evaporation법에 의해 500℃와 800℃ 사이의 온도에서 e-beam power를 25W에서 50W로 변화시키면서 MgO 박막을 Si 기판위에 증착하였다. 박막의 배향성은 기판온도와 e-beam power, 박막두께를 변화시킴에 따라 변화하였다. 이 배향성의 변화에 대한 이유로는 격자불일치와 표면에너지의 영향이라고 생각된다. PZT 박막을 sol-gel법에 의해 190℃에서 310℃로 건조온도를 변화시키며 MgO/Si(100) 기판위에 증착하였다. 완충층이 없는 경우는 PZT 페로브스카이트상이 발현되지 않았고, 완충층이 존재하는 경우는 PZT 페로브스카이트상이 형성되었다. Pb의 확산에 대한 MgO 박막의 barrier 효과를 AES를 이용하여 고찰하였다. 전체박막이 P-E 이력곡선을 나타내는 최적의 MgO 두께를 계산하였고 여러 가지 MgO 두께에 대해 P-E 이력곡선을 측정하였다.kor
dc.languagekor-
dc.publisher한국과학기술원-
dc.subjectPZT 박막-
dc.subject격자상수불일치-
dc.subject표면에너지-
dc.subjectMgO 완충층-
dc.subjectP-E 이력곡선-
dc.subjectP-E hysteresis-
dc.subjectPZT thin film-
dc.subjectLattice mismatch-
dc.subjectSurface energy-
dc.subjectMgO buffer layer-
dc.titlePZT/MgO/Si 박막의 제조와 특성평가-
dc.title.alternativeA study on the fabrication and characterization of PZT/MgO/Si film-
dc.typeThesis(Master)-
dc.identifier.CNRN133531/325007-
dc.description.department한국과학기술원 : 재료공학과, -
dc.identifier.uid000953302-
dc.contributor.localauthor노광수-
dc.contributor.localauthorNo, Kwang-Soo-
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