MNOS FET device 의 제조에 대해서 = On the fabrication of MNOS FET device

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본 논문에서는 직접 tunneling 에 의해서 동작하는 MNOS FET 를 제조하고 이에 대한 성질을 검토했다. 산화막의 두께는 20$\mbox{\AA}$정도이고 질화막의 두께는 1000$\mbox{\AA}$으로 했다. 산화막 내의 전류는 수정 된 Fowler-Nordheim 전류와 질화막 내의 전류와의 차이에 의해 서 두 절연체의 경계면에 전하가 축적되는 현상을 설명했다. 질화막의 중요한 성장 조건인 성장 온도는 850$\,^\circ\!C$ 로 해서 초기 경계면 전하를 OC/$cm^2$로 했다. 산화막은 화학적 산화법이 고온 산화법 보다 간편하고 최대 트랩 밀도도 더 크고 특히 재연성이 좋다. 제조 된 MNOS FET 는 경계면의 특성과 질화막의 품질이 좋지 못했다. 즉 질화막의 두께가 1000 $\mbox{\AA}$인 경우와 1300 $\mbox{\AA}$인 경우에 게이트 펄스에 의한 작동 전압의 변화가 달랐다. 질화막의 두께도 두꺼운 편이어서 게이트 펄스의 진폭이 $\pm$ 60V 이상의 값이 필요했다. 질화막 성장 시에 개스의 순도와 성장 온도가 더욱 잘 조절되어야 한다.
Advisors
박송배Park, Song-Bai
Description
한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1975
Identifier
61851/325007 / 000731058
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 1975.8, [ [ii], 56 p. ]

URI
http://hdl.handle.net/10203/39400
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=61851&flag=dissertation
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EE-Theses_Master(석사논문)
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