ECR $N_2O$-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 온도 영향과 안정성 향상에 관한 연구Temperature effects and stability improvements in high performance poly-Si TFT with ECR $N_2O$-plasma gate oxide
- Advisors
- 한철회; Han, Chul-Hi
- Description
- 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
- Publisher
- 한국과학기술원
- Issue Date
- 1999
- Identifier
- 150895/325007 / 000973551
- Language
- kor
- Description
학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 1999.2, [ ii, 53 p. ]
- Keywords
박막 트랜지스터; ECR plasma oxide; Polysilicon; Temperature effects; Stability; TFT; 안정성; 온도 영향; 다결정 실리콘; ECR 플라즈마 산화막
- Appears in Collection
- EE-Theses_Master(석사논문)
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