ECR $N_2O$-플라즈마 게이트 산화막을 사용한 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 온도 영향과 안정성 향상에 관한 연구 = Temperature effects and stability improvements in high performance poly-Si TFT with ECR $N_2O$-plasma gate oxide

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Advisors
한철회Han, Chul-Hi
Description
한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
1999
Identifier
150895/325007 / 000973551
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 1999.2, [ ii, 53 p. ]

Keywords

박막 트랜지스터; ECR plasma oxide; Polysilicon; Temperature effects; Stability; TFT; 안정성; 온도 영향; 다결정 실리콘; ECR 플라즈마 산화막

URI
http://hdl.handle.net/10203/37206
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=150895&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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