베타-케토에스테르또는아미드리간드를이용한강유전체BST박막제조용선구물질PRECURSORS FOR PRODUCING MONOMER STRUCTURED BETA-DIKETONATED BST(BAXSR1-XTIO3) THIN LAYER USING BETA-KETO ESTER OR AMIDE LIGAND
본 발명은 고유전율 특성을 이용한 기가급 DRAM (Dynamic Random Access Memory) 의 커패시터의 제조에 사용되는 강유전체인 BaxSr1-xTiO3 (BST) 박막 제조용 선구물질에 관한 것이다. 선구물질로서 새로운 형태의 디케토 에스테르(diketo ester) 및 아미드(amide) 리간드를 이용하여 BST 박막 제조용 물질을 합성하였다. 특히 Ba 과 Sr 화합물의 경우 다양한 N, 0 - 전자 주개 리간드를 같이 이용하여 휘발성이 좋은 단량체 구조의 화합물을 합성하였다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 1998-03-12
- Application Number
- 10-1998-0008164
- Registration Date
- 2001-09-03
- Registration Number
- 10-0308916-0000
- Appears in Collection
- CH-Patent(특허)
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