SOT 반도체 소자 및 SOT 반도체 소자의 기록 방법SOT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO SOT SEMICONDUCTOR DEVICE
본 발명은 SOT 반도체 소자 및 SOT 반도체 소자의 기록 방법에 관한 것이고, 본 발명의 실시 예를 따르는 SOT 반도체 소자는 전극; 상기 전극상에 배치된 자유자성층, 상기 자유자성층 상에 배치된 절연층, 및 상기 절연층 상에 배치된 고정자성층,을 포함하는 셀; 및 상기 자유자성층 및 고정자성층 사이에 전압을 인가하는 전압게이트;를 포함하고, 상기 전극 상에 인가된 면내 쓰기 전류에 의해 발생하는 스핀 오빗 토크에 의해 상기 자유자성층의 자화방향이 변경되고, 상기 전극은 텅스텐(W)을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2019-09-18
- Application Date
- 2017-09-14
- Application Number
- 10-2017-0117642
- Registration Date
- 2019-09-18
- Registration Number
- 10-2024876-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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