CMOS를 이용한 200 GHz 증폭기

Abstract

본 논문에서는 CMOS 공정을 이용한 millimeter-wave and sub-THz대역에서의 Amplifier 설계에 대하여 다루었다. 비록 millimeter-wave 그리고 sub-THz 대역에서 CMOS로 amplifier를 구현하는데 있어서 한계와 문제점들이 존재하지만 그러한 한계와 문제점들을 해결하기 위해 중요한 부분들에 중점을 두고 그 부분을 해결할 수 있는 방향으로 설계를 진행함으로써 문제점들을 보완하였다. 그리고 기존 previous works에서 사용되었던 구조가 아닌 common gate구조와 cascode구조를 이용하여 maximum achievable gain을 갖는 CMOS amplifier를 새롭게 구현하였다. 그리고 4장에서 소개한 cascode구조를 이용하여 설계한 증폭기는 47mW의 전력소모로 19.6 dB의 gain을 얻었다. 이 증폭기는 maximum achievable gain을 이전 works에서 common source 구조로 구현되었던 것과는 달리 새롭게 common gate구조와 cascode 구조를 이용하여 구현하였다는 특징이 있다.