질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법Manufacturing method of transparent conductor using random cracking of silicon nitride film
본 발명은 질화규소막에서 발생하는 비정형적 균열을 이용한 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 투명전극 에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명전극의 제조방법은 비정형성의 음각패턴을 포함하는 기재를 재사용할 수 있으며, 이에 따라 전기적 또는 광학적 물성이 항상 일정한 투명전극을 대량생산할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 투명전극은 투명기판 내에 비정형적 패턴을 갖는 전도성 물질이 형성됨으로써, 패턴이 단순하게 반복됨으로써 발생할 수 있는 모아레 효과가 없으므로 시각적으로 유리한 효과가 있다.
- Assignee
- 서울대학교산학협력단,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2019-07-16
- Application Date
- 2016-12-28
- Application Number
- 10-2016-0181162
- Registration Date
- 2019-07-16
- Registration Number
- 10-2002313-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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