초고속 동작 자기메모리 핵심 기술

Abstract

자구벽 이동 기반 자기메모리 (domain wall motion-based magnetic memory)는 자성 나노선에서 움직이는 자구벽의 이동에 기반한 신개념 비휘발성 메모리 소자로서, 기존 메모리들의 장점을 합한 유니버설 메모리가 될 것으로 기대를 모으고 있는 차세대 메모리이다. 그러나 실용화를 위해서는 자구벽의 속도를 높여야 하는 문제가 있었다. 본 연구에서는 자구벽(magnetic domain wall) 이동 속도를 증가시키는 새로운 메커니즘을 제안하고, 이를 실험적으로 증명하였다. 연구진은 페리자성체 GdFeCo의 각운동량 보상점 (각 운동량이 0이 되는 지점)에서 자구벽의 속도가 급격히 증가할 것을 이론적으로 예측하였고, 이를 실험을 통해 확인한 결과, 상온에서 자구벽의 속도가 2km/s이상을 가짐을 확인하였다. 이는 차세대 메모리의 구현을 앞당기는 의미를 가질 뿐만 아니라, 각운동량이 사라지는 지점에서 나타나는 새로운 물리현상을 발견했다는 의미에서 학문적으로도 큰 가치가 있는 결과라 할 수 있다.