측정 패턴 구조체, 보정 구조체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Measuring pattern structure, Adjustment structure, Substrate treatment apparatus and Substrate treatment method

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본 발명에 따르면, 플라즈마를 발생시키도록 전원에 전기적으로 연결되는 안테나의 하측에 위치하여 아래쪽에서 발생되는 플라즈마를 차단시키는 유전체(Dielectric)부의 상면 또는 하면과 접촉하면서 배치되고, 위치에 따라 다른 구조를 가지는 측정 패턴을 포함하되, 측정 패턴은 위치에 따라 불균일한 플라즈마를 생성하는 측정 패턴 구조체, 보정 구조체, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다. 이러한 본 발명에 따르면, 유도 결합 플라즈마의 유전체부에 접촉하여 배치되는 측정 패턴 구조체를 이용하여 기판의 위치에 따라 플라즈마 및 기판 공정 결과의 균일도를 정량적으로 제어할 수 있는 위치 별 챔버 보정 방법을 제공할 수 있고, 불균일한 공정 결과를 반영한 보정 구조체를 이용하여 균일한 공정을 제공할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2011-09-05
Application Date
2009-10-15
Application Number
10-2009-0098459
Registration Date
2011-09-05
Registration Number
10-1064233-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235791
Appears in Collection
PH-Patent(특허)
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